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FDG6303N详细

IC FET DGTL N-CHAN DUAL SC70-6

FDG6303N厂商

Fairchild Semiconductor

FDG6303N参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):25V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):500mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.3nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V,功率 - 最大值:300mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363,供应商器件封装:SC-70-6
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